三星256GB UFS 2.0闪存芯片开始量产

【天极网IT新闻频道】上个月，三星推出了全球首款256GB UFS2.0闪存芯片。现据最新消息，这款芯片已经进入量产阶段。

得益于全新的UFS2.0标准，三星的这款闪存芯片读写能同时进行，其最高读取速度可以达到850MB/s，最高写入速度可以达到260MB/s(连续)，读取速度几乎两倍于普通的SSD，写入速度几乎是高端microSD卡的三倍。另外三星表示该芯片体型要比microSD卡小很多，给予了手机厂商更多的设计空间。

当然，三星Galaxy S7目前是与这款芯片无缘了，新版Galaxy Note 6或许有望加持该芯片，另外还有传闻称iPhone 7 Plus 256GB版本将采用三星的这一解决方案。(via: GSM Arena)

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三星256GB UFS 2.0闪存芯片开始量产

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