iPhone 7 Plus或采用闪迪256GB闪存芯片
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【天极网IT新闻频道】此前有报道称苹果将进一步提升iPhone 7系列的机身存储容量,iPhone 7 Plus最高可达256GB,并且取消iPhone 7 16GB版本。另外在2月份的时候三星公布了全新的256GB UFS闪存芯片,有人预计苹果很可能将采用三星的这一存储方案,因为该芯片在存储容量增加同时还保持了较小的体积。
现据最新消息,意大利网站HDblog日前曝光了一张闪迪256GB NAND闪存芯片,据传该芯片将用于下一代iPhone。实际上此前的iPhone 5,iPhone 6以及iPhone 6 Plus都使用过闪迪芯片,其它机型采用的则包括来自三星,海力士以及东芝的闪存芯片。
如上图所示,闪迪全新的256GB闪存芯片工艺十分出色,其体积甚至比当前其64GB版本还要小,这显然符合苹果对iPhone 7的要求。根据传闻iPhone 7机身厚度还将减少1mm,而且将配备容量更大的3100mAh电池。
其它传闻显示,iPhone 7将搭载由台积电代工的A10芯片,支持Smart Connector接口,配备双后置摄像头,立体声扬声器,支持Intel 7360 LTE,去掉3.5mm耳机接口,支持防水功能,支持无线充电,重新设计天线等。另外据传iPhone 7 Plus将配备3GB内存。(via: Mac Rumors)
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