公众号三星推出新款SRAM 采用10nm FinFET制造工艺
2015-11-20 10:58:25
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【天极网IT新闻频道】【Yesky新闻频道消息】 据外媒报道，日前三星推出了世界上首款基于10nm FinFET制造工艺的静态随机存取存储器SRAM，为未来手机SoC进一步瘦身打下了重要基础挑战台积电和英特尔。
SRAM比我们常见的DRAM(动态随机存取存储器)更快，常用于CPU缓存等，也是研发测试新工艺的必经前提步骤。
据悉，三星的这款SRAM将用于制造处理器高速缓存，FinFET技术的加持还可让其体积比上代的14nm SRAM缩小37.5%。
三星推出新款SRAM 采用10nm FinFET制造工艺
此外，在性能表现和功耗上，新的技术也会带来更好的效果，手机的续航也会有一定的增长，而这些都是消费者们喜闻乐见的。
有报道称，10nm FinFET技术的SRAM让三星站上了新的台阶，不但超越了台积电，更是完成了对业界超级巨头英特尔的逆袭(由于成本过高，英特尔已将自家10nm芯片的量产计划推迟到2017年)。
三星预计将于2016年底开始大规模量产10nm的SRAM，正好可以赶上年初的新旗舰Galaxy S8。
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